【北京，2025年4月8日】 在全球半导体产业向高性能、低功耗加速突围的关键节点，铠侠（KIOXIA）VIP俱乐部以一场“低温狂飙 开启‘芯’程”主题沙龙，点燃北京科技圈的创新热情。活动深度聚焦低温技术在存储芯片领域的颠覆性应用，通过技术展示、场景体验与行业对话，展现铠侠在闪存技术领域的持续突破与战略布局。
活动现场，铠侠技术专家首次披露其第10代NAND闪存研发进展——计划2026年量产的3D NAND芯片将全面采用低温蚀刻技术。该技术通过-60℃低温环境实现存储单元通孔（memory hole）的高速蚀刻，加工效率较传统电浆蚀刻提升4倍，大幅缩短生产周期。
“低温蚀刻技术不仅推动3D NAND堆叠层数向1000层迈进，更通过减少碳排放的新型蚀刻气体，实现生产效率与环保效益的双重突破。”铠侠中国区技术总监在分享中强调。据透露，该技术已导入400层以上堆叠的3D NAND样品生产，为下一代高密度存储芯片奠定技术基石。
产品体验区成为活动焦点，铠侠多款低温优化存储解决方案集中亮相：
活动突破传统科技沙龙的边界，以“艺术+科技”的沉浸式体验引发共鸣：
在圆桌论坛环节，铠侠与AI企业DeepSeek联合宣布低延迟存储解决方案合作计划。该方案针对自动驾驶实时决策场景，通过算法与存储硬件的深度优化，预计可将决策效率提升25%。
“存储技术正从‘被动承载’向‘主动赋能’进化。铠侠正通过CBA（CuA with Array）架构创新，为PCIe 7.0时代储备技术动能。”铠侠全球存储解决方案事业部副总裁在发言中指出。据透露，基于332层堆叠的下一代BiCS FLASH™技术已进入验证阶段，传输速度较现有产品提升33%，位密度增加59%。
活动尾声的抽奖环节将气氛推向高潮，幸运用户获赠涵盖消费级至企业级的铠侠全家系产品。参与者纷纷表示：“从液氮冷却实验到便携固盘的极寒测试，铠侠让我们看到存储技术不仅有参数突破，更有人文关怀。”
在“低温狂飙”的技术浪潮中，铠侠正以持续创新重新定义存储边界。正如其品牌理念“记忆（Kioku）+价值（Axia）”所昭示的，这家存储巨头正用低温技术守护数字文明，用“芯”力量撬动未来。随着AI、元宇宙等场景的深化，铠侠的低温存储解决方案或将成为智能时代的新基建底座。